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CMD5951:防盜器優秀MOS

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CMD5951:防盜器優秀MOS

>>CMD5951詳情頁面

CMD5951采用Cmos先進的溝槽技術和設計,提供優秀的RDS(ON)與低門電荷,具有低導通損耗和低開關損耗,它可以高效用于多種應用電路中,包括不限于DC-DC直流變換器、逆變器、電機驅動等。憑借其卓越的電氣特性和高可靠性,是市場非常認可、優秀的防盜器MOS元件。



卓越的電氣特性

CMD5951的主要電氣特性包括: 

耐壓與電流能力:CMD5951的耐壓(BVDSS)為-100V,在25℃條件下,其最大連續漏極電流(ID)可達-30A。



可靠性好:CMD5951采用Cmos先進的溝槽技術和設計,單次雪崩能量為270mJ,使其有較強的抗沖擊能力,提升了其耐用性和可靠性。

低熱阻:CMD5951采用TO-252封裝,具有優秀的熱管理性能,其結到殼的熱阻(RθJC)低至1.25℃/W。有很好的散熱能力,工作時能夠有效地將熱量散發出去,防止過熱,提高了系統的穩定性和可靠性。 



低導通電阻:在柵極電壓(VGS)為10V時,CMD5951的導通電阻(RDS(on))不超過65mΩ。低導通電阻降低了導通狀態下的損耗,還提高了整體電路的能效。



低Qg:較低的Qg,使管子更容易驅動,開關損耗低,提高了電路效率。



適用范圍廣泛

CMD5951 MOS管由于其優異的特性,適用于多種應用場景,特別是防盜器電路中,MOS管的高EAS、低熱阻、低導通電阻直接影響抗沖擊能力、可靠性、能效,CMD5951表現出色,能夠很好地滿足電路需求。


CMD5951 MOS管采用的TO-252封裝,提供了良好的散熱途徑,其耐壓和電流能力使其能夠在各種高應力環境下穩定工作。通過優化半導體材料和制造工藝,CMOS成功地將這些特性集成到CMD5951中,使其在防盜器等電路應用中表現出色。


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