CMF85R290R是采用Cmos先進(jìn)超級(jí)結(jié)技術(shù)的功率MOSFET,實(shí)現(xiàn)非常低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷,通過使用優(yōu)化的電荷耦合技術(shù),提供更高的效率。
CMH12N90功率MOSFET,采用Cmos的專有平面條形DMOS技術(shù),改進(jìn)了dv/dt能力,非常適合用于高效開關(guān)電源。
CMF10N80是一款綜合性能優(yōu)秀的N溝道高壓功率MOSFET,采用Cmos先進(jìn)的平面工藝制造,其核心優(yōu)勢(shì)是抗沖擊性高、高頻特性好、不可控造因素成的特性離散性小等優(yōu)勢(shì),適用于開關(guān)電源(SMPS)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變儲(chǔ)能及工業(yè)電磁閥小信號(hào)類應(yīng)用等場(chǎng)景。
CMSA070N10是一款高性能N溝道功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET),采用Cmos先進(jìn)的SGT工藝制成,具有高頻特性好,轉(zhuǎn)換效率高的特點(diǎn)。
CMP107N20是采用廣東場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司(Cmos)先進(jìn)的SGT技術(shù)工藝生產(chǎn),具有優(yōu)秀的導(dǎo)通電阻RDS(ON),是高頻開關(guān)和同步整流的理想MOS,也非常適合用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制、電池管理、不間斷電源、逆變器電源等等。