高耐壓MOS：CMF90R450Q
高耐壓MOS：CMF90R450Q
CMF90R450Q功率MOSFET，是采用廣東場效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司（CMOS）先進的超級結(jié)技術(shù)，實現(xiàn)非常低的電阻和柵極電荷。采用優(yōu)化的電荷耦合技術(shù)來提供高的效率。應(yīng)用范圍廣泛，可用于Charger電源、Adaptor電源、Power supply、Electrodeless lamp等，有900V高耐壓能力，很好的性價比。
卓越的電氣特性
CMF90R450Q的主要電氣特性包括：
高耐壓能力：CMF90R450Q的耐壓（BVDSS）為900V。
電流能力：在25℃條件下，其最大連續(xù)漏極電流（ID）可達11A。
ESD保護能力：在柵源極集成ESD保護二極管，有優(yōu)秀的ESD能力。
低開啟能力：開啟電壓VGS（th）是2.5~4.5V，使得在較低的驅(qū)動電壓下也能開啟。
低導(dǎo)通損耗能力：在柵極電壓（VGS）為10V時，CMF90R450Q的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）最大為0.45Ω。低導(dǎo)通電阻降低了導(dǎo)通狀態(tài)下的損耗，提高了電路的能效，使得在電路應(yīng)用中效率更高。
低開關(guān)損耗能力：非常低的QG、結(jié)電容，使其具有優(yōu)越的開關(guān)性能，非常低的開關(guān)損耗。
適用范圍廣泛
CMF90R450Q MOS管由于其優(yōu)異的特性，適用于多種應(yīng)用場景，適合于多種電源電路。MOS管的高耐壓、低導(dǎo)通電阻、ESD保護、低QG、低結(jié)電容，具有很好的開關(guān)特性及低開關(guān)損耗、低導(dǎo)通損耗，使得有很好的效率，能夠很好地滿足電路需求。
CMF90R450Q MOS管采用的TO-220F封裝，其耐壓和電流能力使其能夠在各種高應(yīng)力環(huán)境下穩(wěn)定工作。通過優(yōu)化半導(dǎo)體材料和制造工藝，Cmos成功地將這些特性集成到CMF90R450Q中，使其在各種電源電路應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
