優(yōu)秀MOS：CMH50N20
優(yōu)秀MOS：CMH50N20
CMH50N20是采用廣東場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體有限公司（Cmos）先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供優(yōu)秀的RDS（ON），抗沖擊能力強(qiáng)，廣泛應(yīng)用于逆變器電源和SMPS電源、UPS電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等電路中。憑借其卓越的電氣特性和高可靠性，是市場(chǎng)非常認(rèn)可、優(yōu)秀的MOS元件。
卓越的電氣特性
CMH50N20的主要電氣特性包括：
耐壓能力：CMH50N20的耐壓（BVDSS）為200V。
電流能力：在Tc=25℃條件下，其最大連續(xù)漏極電流（ID）是50A。
雪崩能量：CMH50N20采用（Cmos）先進(jìn)平面條紋DMOS技術(shù)工藝，100%雪崩測(cè)試，單次雪崩能量EAS為1500mJ，有很強(qiáng)的抗沖擊能力。
低熱阻：CMH50N20采用TO-247封裝，具有優(yōu)秀的熱管理性能，其結(jié)到殼的熱阻（RθJC）為0.45℃/W。
低導(dǎo)通電阻：在柵極電壓（VGS）為10V時(shí)，CMH50N20的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）最大只有48mΩ。低導(dǎo)通電阻能降低導(dǎo)通狀態(tài)下的損耗，能提高整體電路的能效。
低開關(guān)損耗：低QG、結(jié)電容，使其具有優(yōu)越的開關(guān)性能和低開關(guān)損耗。
適用范圍廣泛
CMH50N20優(yōu)秀的性能，使其可以非常好的應(yīng)用于多種電路，包括不限于逆變器電源和SMPS電源、UPS電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等多種應(yīng)用。
通過優(yōu)化半導(dǎo)體材料和制造工藝，Cmos成功地將這些優(yōu)秀特性集成到CMH50N20中，使其在電路應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
