中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)探索之初，我們只是一窮二白，但是，經(jīng)過了幾代人的不懈努力，我們已經(jīng)建立起了初具規(guī)模的技術(shù)體系和逐步增強的產(chǎn)業(yè)實力。
近日，麻省理工研究團隊宣布，當(dāng)前設(shè)計一款實用性非常強的硅基LED，它將采用正偏方法，相較于其他的硅基LED亮度提升10倍。本次研制的新款硅基LED采用了正偏方法，同時將LED中PN結(jié)的組合方式進行改變，成功將硅材料的光電能量轉(zhuǎn)換效率提高，進一步提升硅基LED的亮度，并降低了LED的制造成本。
9月23—25日，記者在廣州舉辦的“2021中國電子材料產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展大會”上獲悉，隨著5G基站、手機快充以及新能源電動汽車等新興領(lǐng)域?qū)Π雽?dǎo)體器件的功率、效率、散熱以及小型化提出更高要求，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體正得到廣泛應(yīng)用，并加速進入黃金發(fā)展期。
當(dāng)前，新一輪科技革命深入演進，數(shù)字時代撲面而來，全球主要國家在數(shù)字經(jīng)濟領(lǐng)域展開激烈角逐。關(guān)鍵數(shù)字技術(shù)創(chuàng)新，中國已經(jīng)取得了哪些優(yōu)勢？在當(dāng)前國際環(huán)境下，面臨哪些難題要“啃”？
隨著以氮化鎵、碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體步入產(chǎn)業(yè)化階段，對新一代半導(dǎo)體材料的探討已經(jīng)進入大眾視野。走向產(chǎn)業(yè)化的銻化物，以及國內(nèi)外高度關(guān)注的氧化鎵、金剛石、氮化鋁鎵等，都被視為新一代半導(dǎo)體材料的重要方向。從帶隙寬度來看，銻化物屬于窄帶半導(dǎo)體，而氧化鎵、金剛石、氮化鋁屬于超寬禁帶半導(dǎo)體。新一代半導(dǎo)體材料，將一路向?qū)挘€是一路向窄？
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